در این پژوهش مدل نوینی از سامانه ترکیبی ترموالکتریک-فتوولتائیک نصب شده در یک حفره مکعبی جاذب ارائه شده است. با اینکه میزان توان تولیدی سیستم پیشنهادی نسبت به ساختار حفره تمام هیبرید کمتر است اما نسبت به سیستم هیبرید فتوولتائیک-ترمو الکتریک صفحه ای 2 برابر می باشد. آنالیز انتقال حرارت حفره نشان می دهد بیشترین میزان تابش در سطح پایین حفره اتفاق می افتد و لذا بهینه ترین محل نصب سیستم هیبرید در وجه پایینی حفره است. هزینه تولید انرژی این ساختار جدید نسبت به حفره تمام هیبرید 40 درصد کمترخواهد بود.